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题目内容 (请给出正确答案)
[主观题]

N型半导体中的多子是()。

A.电子

B空穴

C正离子

D负离子

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第1题
温度升高时,杂质半导体中的多子浓度明显增加。()
温度升高时,杂质半导体中的多子浓度明显增加。()

A.正确

B.错误

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第2题
N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。()
N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。()

A.错误

B.正确

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第3题
在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。

A、空穴,空穴

B、空穴,电子

C、电子,电子

D、电子,空穴

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第4题
在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()
在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()

A.正确

B.错误

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第5题
在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体( )。
在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体()。

在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体()。

A、正确

B、错误

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第6题
在本征半导体中加入()元素可以形成N型半导体。

A.四价

B.五价

C.二价

D.三价

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第7题
N型半导体中,自由电子的数目和空穴的数目()。

A、自由电子数目多

B、空穴的数目多

C、相同

D、不能确定

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第8题
电子数字计算机从诞生之日起,经历了四个发展阶段,目前所使用的第四代计算机的主要特点是()。

A.主要特征是逻辑器件使用电子管,用穿孔卡片机作为数据和指令的输入设备,用磁鼓或磁带作为外存储器,使用机器语言编程

B.主要特征是使用晶体管代替了电子管,内存储器采用了磁芯体,引入了变址寄存器和浮点运算硬件,利用I/O处理机提高了输入/输出能力

C.主要特征是用半导体中、小规模集成电路作为元器件代替晶体管等分立元件,用半导体存储器代替磁芯存储器,使用微程序设计技术简化处理机的结构,在软件方面则广泛地引入多道程序、并行处理、虚拟存储系统和功能完备的操作系统,同时还提供了大量的面向用户的应用程序

D.主要特征是使用了大规模和超大规模集成电路

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第9题
处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()
处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()

A.正确

B.错误

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第10题
本征半导体入三价元素后空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或 P型半导体。()
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第11题
下列关于N型半导体的说法正确的是()。

A.自由电子数大于空穴总数

B.空穴总数远大于自由电子数

C.自由电子成为少数载流子

D.空穴成为多数载流子正确答案:A

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