题目内容
（请给出正确答案）
按性能对下列ROM对应画线
(1)MaskROM 由用户一次性写入，写入后，不能更改
(2)ORPROM 由用户写入，电可擦除，可反复多次使用，价格低廉
(3)EPROM 由生产厂商写入，用户不能擦写，不能更改
(4)E2PROM 由用户写入，紫外线擦除，可反复多次使用
(5)Flash ROM 由用户写入，电可擦除，可反复多次使用，价格较高
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按下列标记符号的解释对应画线。
(1)NUMB 发送/接收寻址字节内RAM存储单元
(2)SLA 虚拟I2C总线时钟线
(3)VSDA 发送/接收数据字节数N内RAM存储单元
(4)MTD 虚拟I2C总线数据线
(5)VSCL 发送数据内RAM存储区首地址
A.1、15
B.2、15
C.1、30
D.2、30
A.半导体ROM 信息可读可写，且断电后仍能保持记忆
B.半导体ROM 是非易失性的，断电后仍然能保持记忆
C.半导体ROM 是非易失性的，断电后也不能保持记忆
D.EPROM 是可改写的，因而也是随机存储器的一种
A.主体行为的社会合意程度和自由选择性均高
B.主体行为的社会合意程度和自由选择性均低
C.主体行为的社会合意程度高而自由选择性低
D.主体行为的社会合意程度低而自由选择性高
若R0=40H,(40H)=79H,(41H)=1FH,DPTR=IFDFH,ROM(2000H)=ABH,Cy=1，将依次执行下列指令后的结果写在注释区。
MOV A,41H
ADDC A,#00H
INC DPTR
MOVC A,@A+DPTR
DEC 40H
ADD A,@R0
INC R0
SUBB A,R0
在U
N.
I.X系统中，有关文件在磁盘索引结点中的权限字段被按(1)分成三组，每一组中按序规定了是否能对文件进行(2)操作。
A.个人计算机中，可以不用ROM，但不能没有RAM
B.SRAM和DRAM中的信息断电后都会丢失
C.Flash存储器是一种非易失性的存储器
D.EEPROM是一种EPROM的新品，但其擦除原理不同
A.SRAM和DRAM中的信息断电后都会丢失
B.Flash存储器是一种非易失性的存储器
C.EEPROM是一种EPROM的新品，但其擦除原理不同
D.个人计算机中，可以不用ROM，但不能没有RAM
A.RAM是随机存储器，且断电后信息不会丢失
B.RAM属于易失性存储器，但静态RAM存储信息是非易失性的
C.静态RAM和动态RAM都属于易失性存储器，断电后存储的信息立即消失
D.ROM不用刷新，且集成度比动态RAM高，断电后存储的信息立即消失
