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题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

设三维位错密度，粗略假设位错源开动是塑性变形的开始，估算Pb、Cu、Al和Ni开始塑性变形的应力。已知它们的切变

设三维位错密度 $设三维位错密度，粗略假设位错源开动是塑性变形的开始，估算Pb、Cu、Al和Ni开始塑性变形的应力。已$ ，粗略假设位错源开动是塑性变形的开始，估算Pb、Cu、Al和Ni开始塑性变形的应力。已知它们的切变模量分别是 $设三维位错密度，粗略假设位错源开动是塑性变形的开始，估算Pb、Cu、Al和Ni开始塑性变形的应力。已$ 。它们的点阵常数分别是Al：0.40nm；Cu：0.36nm；Pb：0.49nm；Ni：0.35nm。

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更多“设三维位错密度，粗略假设位错源开动是塑性变形的开始，估算Pb…”相关的问题

第1题

加工硬化是由于位错密度增加以致缠结，使金属强度提高，所以当金属中无位错存在时，强度最低。()

加工硬化是由于位错密度增加以致缠结，使金属强度提高，所以当金属中无位错存在时，强度最低。（)

A、错误

B、正确

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第2题

位错的面密度是如何计算的？

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第3题

加工硬化现象的最主要原因是()。

A.晶粒破碎细化

B.位错密度增加

C.晶粒择优取向

D.形成纤维组织

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第4题

产生加工硬化现象的最主要原因是（)。

A.晶粒破裂细化

B.位错密度增大

C.晶粒择优取向

D.形成纤维组织

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第5题

塔类设备就位时,发现方位有偏差,需旋转一个角度,设两套旋转设施形成力偶,即可实现旋转后就位。()此题为判断题(对，错)。

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第6题

对底物、金属离子、外源G，第一类内元能利用RNA结构形成一个结合袋。Michelet.al.（Nature，342，391-395，1989)在

对底物、金属离子、外源G，第一类内元能利用RNA结构形成一个结合袋。Michelet.al.(Nature，342，391-395，1989)在第一类内元的二级结构中发现了结合部位，他们假设一些核苷酸来组成G结合位点并以此开始研究。他们假设这些核苷酸是保守的，并且突变会影响到G的结合和拼接过程。从G结合部位的核苷酸的特征中，你认为他们有哪些假设？

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第7题

晶体中的位错是一种（）。

A.点缺陷

B.线缺陷

C.面缺陷

D.体缺陷

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第8题

在ios中提供控制格式的标志位中，oct是转换为十六进制形式的标志位。()

在ios中提供控制格式的标志位中，oct是转换为十六进制形式的标志位。（)

T、对

F、错

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第9题

某分组码的最小码距是17，若该码用于纠错，可保证纠正（)位错。

A.8

B.9

C.16

D.17

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第10题

线缺陷就是晶体中的位错。（)

线缺陷就是晶体中的位错。()

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第11题

某分组码的最小码距是6，若该码用于纠错，可保证纠正()位错。

A.1

B.2

C.3

D.4

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