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[主观题]

N沟道结型场效应管的特性曲线及其组成电路如图1．5．10所示。试分别计算当VGS=一1 V、VGS=一2V和VGS=

一3V时电路的输出电压V.约为多大？

N沟道结型场效应管的特性曲线及其组成电路如图1．5．10所示。试分别计算当VGS=一1 V、VGS=

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第1题

N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。

N沟道结型场效应管的夹断电压VP为（)。

A.正值

B.负值

C.零

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第2题

结型场效应管利用栅源极间所加的来改变导电沟道的电阻

A.反偏电压

B.反向电流

C.正偏电压

D.正向电流

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第3题

结型场效应管的伏安特性及对应的混频器电原理图如图所示，其中设本振电压为vLO（t)=VLOcosωLOt，满足线性时变

结型场效应管的伏安特性及对应的混频器电原理图如图所示，其中设本振电压为v_LO(t)=V_LOcosω_LOt，满足线性时变条件。求：

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第4题

场效应管分压式偏置电路适合于（)场效应管组成的放大电路。

A.增强型

B.耗尽型

C.增强型和耗尽型

D.以上均不对

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第5题

场效应管自给偏压电路适合于增强型场效应管组成的放大电路。()

场效应管自给偏压电路适合于增强型场效应管组成的放大电路。（)

A.正确

B.错误

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第6题

增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。()

增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。（)

A.错误

B.正确

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第7题

结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。()

结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（)

A.错误

B.正确

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第8题

增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压，才能形成导电沟道而导通。()

增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压，才能形成导电沟道而导通。（)

A.错误

B.正确

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第9题

双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用，结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出，可以互换使用。()

双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用，结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出，可以互换使用。（)

A.错误

B.正确

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第10题

有一2CR型硅光电池的交流检测电路，其直流负载电阻Rb=5kΩ，通过耦合电容Cc=5μF与负载电阻RL相连而组成交流负

有一2CR型硅光电池的交流检测电路，其直流负载电阻R_b=5kΩ，通过耦合电容C_c=5μF与负载电阻R_L相连而组成交流负载，若光电池在入射光照度100lx下可产生短路电流0.2mA，如光电池结电容1000pF，结区及表面漏电阻R_s=30kΩ，试计算使负载电阻R_L上取得最大功率输出条件下检测电路的中频段光电转换系数和上、下限截止频率？

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第11题

计算下图（a)、（b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点（VCEQ，ICQ)和FET的工作点（VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为

计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT₂的静态工作点(V_CEQ，I_CQ)和FET的工作点(V_DSQ，I_DQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0.5mA/V²，V_P=-2V。

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