题目内容
（请给出正确答案）
在图(a)所示电路中，已知三极管发射结正偏时Uon=0.7V，深度饱和时其管压降UCES=0V，β=60°
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“在图（a)所示电路中，已知三极管发射结正偏时Uon=0.7V…”相关的问题
A．图(a)中三极管工作在放大状态
B．图(b)中三极管工作在饱和状态
C．图(c)中三极管工作在截止状态
D．图(d)中三极管已经损坏
在图2-19所示实现平方律运算的电路中，各管有相同的发射结面积，工作在放大区，β很大，且忽略基区宽度调制效应，试证：
在图LP2-21所示实现平方律运算的电路中，各管有相同的发射结面积，工作在放大区，β很大，且忽略基区宽度调制效应，试证：IW2=IX2+IY2。
已知LSTTL反相器的静态特性，如图3．4．1所示，且IOH=-400uA，IOL=4 mA；又知图3．4．1(b)电路中，VCC=5 V，RC=1 kΩ，三极管β=50，饱和时VCES=0．3 V，VBES=0．7 V。 (1)求Rb=10 kΩ，开关K分别置于0和1处时的VA，VB，VO。 (2)Rb短路，电路能否正常工作？若不能试求出Rb的最小允许值。 (3)为保证电路正常工作，Rb的最大值应为多少？
在下图所示放大电路中，已知UDD=12V，RG=1MΩ，RS1=100Ω，RS2=2kΩ，各电容足够大，场效应三极管的饱和电流IDSS=5mA，夹断电压Up=-5V，gm=1.85mA/V，试求：
在图4所示的电路中，门G1是TTL集电极开路与非门，饱和时输出VO=0.3V；门G2是普通TTL与非门，其外特性如图5所示；三极管VT饱和时的VCES=0.3V，VBE=0.7V；A、B是输入信号，波形如图6所示。
。
，求
，求I。
