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题目内容 (请给出正确答案)
[主观题]

兴奋性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()

A、Na+、K+、Cl-,尤其是K+

B、Na+、K+,尤其是Na+

C、K+、Cl-,尤其是Cl-

D、K+、Cl-,尤其是K+

E、Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+

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第1题
兴奋性突触后电位是突触后膜对______,尤其是______的通透性增加而形成的。
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第2题
兴奋性突触后电位是由于突触后膜对__________、__________尤其是__________通透性升高而去极化所
致。

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第3题
兴奋性突触后电位是_______递质作用于突触后膜上的受体,主要提高突触后膜对_______的通透性,从而导致局部膜的_______。

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第4题
下列哪点为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征?()

A、突触前膜均去极化

B、突触后膜均去极化

C、突触前膜释放的递质性质一样

D、突触后膜对离子通透性一样

E、产生的突触后电位的最终效应一样

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第5题
兴奋性突触后电位在突触后膜上发生的电位变化是()

A、去极化

B、极化

C、超极化

D、复极化

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第6题
兴奋性突触后电位()

A.是发生在突触后膜上的去极化型局部电位

B.主要是由Na内流引起的

C.具有“全或无”的性质

D.具有较长的不应期

E.可使突触后神经元的兴奋性增高或爆发AP

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第7题
脑电波的形成与下列哪项有关?

A.兴奋性突触后电位

B.抑制性突触后电位

C.动作电位

D.发生器电位

E.突触后电位

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第8题
脑电波的形成机制是大量皮层神经无同时发生()

A、工作电位

B、诱发电位

C、兴奋性突触后电位

D、抑制性突触后电位

E、突触后电位同步总和

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第9题
脑电波的形成机制是大量皮质神经元同时发生()。A.动作电位B.诱发电位C.兴奋性突触后电位D.抑

脑电波的形成机制是大量皮质神经元同时发生()。

A.动作电位

B.诱发电位

C.兴奋性突触后电位

D.抑制性突触后电位

E.突触后电位同步总和

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第10题
突触前抑制的产生是由于()。

A.突触前膜超极化

B.突触前膜释放抑制性递质

C.突触后膜超极化

D.突触前膜释放兴奋性递质减少

E.突触后膜对Cl-通透性增加

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第11题
IPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性()

A.K+、Cl-,尤其是Cl-

B.K+、Cl-,尤其是K+

C.Na+、K+、Cl-,尤其是Na+

D.Na+、K+、Ca2+,尤其是Ca2+

E.Na+、K+、Ca2+,尤其是Ca2+

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