设e1=(1,0,…,0),e2=(0,1,0,…,0),…,en=(0,0,…,0,1)是的基.分别求出中元素的范数,其中x=(ξ1,ξ2,…,ξn)∈的范数
设e1=(1,0,…,0),e2=(0,1,0,…,0),…,en=(0,0,…,0,1)是的基.分别求出中元素的范数,其中x=(ξ1,ξ2,…,ξn)∈的范数定义为
设e1=(1,0,…,0),e2=(0,1,0,…,0),…,en=(0,0,…,0,1)是的基.分别求出中元素的范数,其中x=(ξ1,ξ2,…,ξn)∈的范数定义为
设,且A∈BL(H)。又设A相对于自然基底e1=(1,0),e2=(0,1)的矩阵表示为。求证:
(a)A为自伴的当且仅当b=C
(b)A为正的当且仅当
b=C, a≥0,d≥0, ad≥b2;
(c)A为酉算子当且仅当对某一θ,0≤θ≤2π有
a=d=cosθ, C=-b=sinθ, 或 a=-d=cosθ, b=c=sinθ:
(d)A为正规的当且仅当
b=c 或 b=-c, a=d
设E1和E2是赋范空间X的子集,若E1是紧的,E2是闭的且E1∩E2=,证明存在r>0使得
(E1+U(0,r))∩E2=,
其中U(0,r)={x∈X:‖x‖﹤r}
试证明:
设E1,E2是R2中的正测集,则存在h0>0,使得
m(E1∩(E2+{h0}))>0.
设等级结构的转移矩阵Q仍由(16)式给出,理想的结构为a*=(0.2,0.3,0.5),证明a*∈B(稳定域),若初始结构为a(0)=(0.2,0.8,0),用问题E1,E2,E3的解法求调入比例r,使a(1)尽量接近a*.
设R3中C2曲面M在等温参数{u,v}下,第1基本形式:I=ds2=E(du2+dv2)=λ2(du2+dv2),E=G=λ2 (λ>0). (1)Laplace算子表达式为
其中f为M上的C2函数; (2)Gauss曲率为
在R2中作点集
E1={x=(ξ,η):-∞<ξ<∞,θ=0}
与
E2={y=(ξ,η):ξ·η=1},
则
d(E1,E2)=0
设M为R3中2维光滑曲面,{u,v}为点P∈M邻近的局部坐标(参数),{x(u,v),xu(u,v),xv(u,v),n(u,v)}称为自然标架场.{x(u,v),e1(u,v),e 2(u,v),e3(u,v))为规范正交标架场,dx,dei(i=1,2,3)都可用e1,e2,e3的线性组合表示.此公式称为曲面M的基本公式(或运动方程):
在近代微分几何中,R3中的光滑曲面M:x=x(u,v),它的自然切标架场为{xu,xv),并称{du,dv}为它的对偶余切标架场,即du(xu)=1, du(xv)=0,dv(xu)=0, dv(xv)=1.而{e1,e2,e2}为R3中的规范正交活动标架,它限制到曲面M上,{e1,e2}为M上的规范正交切标架场,e3为M的法标架场,{ω1,ω2,ω3}为{e1,e2,e3}的对偶标架场,即ωi(ej)=δij (i,j=1,2,3).曲面M的第1和第2基本形式分别为
定理1如果{u,v}为曲面M的正交坐标系,则有下面的计算公式:
设e1,e2,ω1,ω2和
为R3中C2超曲面M上的规范正交标架,f为M上的C2函数,
(f沿ei方向的方向导数eif=df(ei)=(f1ω1+f2ω2)(ei)=fi).记
则:(1)
;
(7)f12=f21; (8)f11+f22与规范正交标架的选取无关,并称△1:C2(M,R)→C0(M,R)f1→△1f=f11+f22为M上的Laplace算子.如果△1f=0,则称f为调和函数.
A.0.7
B.0.9946
C.3
D.0
气体介质中粒子数密度n=1023cm-1,E2能级比基态E1能级的能量高2.48eV(跃迁中心波长λ0=0.5μm),E2能级的自发辐射寿命=1ms,E2→E1能级的自发辐射谱线具有洛伦兹线型(线宽△=1GHz)。在热平衡温度为T1(kbT1=0.026eV)和T2(kbT2=0.26eV)(kb为玻耳兹曼常数)时,求: