题目内容
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[主观题]
下图各图中,分别画出了磁场B、电流I和安培力F的方向,其中正确的是 () A. B. C. D.
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下图各图中,分别画出了磁场B、电流I和安培力F的方向,其中正确的是 ( )
设CPLD中某宏单元编程后电路如下图所示,图中画出了S1~S8和M1、M3编程后的连接。数据分配器S1~S8未被选中的输出为0。已知各乘积项如下图中所示。
按下列要求分别写出下图所示框图中u'O(t)和uO(t)的数学表达式,说明各电路所实现的功能?已知滤波器具有理想特性,Ω为低频,ω为高频。
图中示出射极有负反馈电阻的单管放大器,各电压、电流之间满足以下约束方程:Vo=-RcIc,Ic=βIb,,Vbe=VS-Ve,Ve=ReIe,。画出此系统的信号流图,求转移函数(即电压放大倍数)。
如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴对,当电子和空穴向半导体体内扩散时,受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离,于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。