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更多“在图3—21所示逻辑电路中，若门A、B及C的传输延迟范围如图…”相关的问题
A.
B.
C.
D.0
图2-15中的逻辑电路输入状态为表2-3的状态1，然后变为状态2，再变为状态3。
| 表2-3 | |||
| 状态 | A | B | C |
| 状态1 状态2 状态3 | 1 0 0 | 0 0 0 | 1 1 0 |
已知LSTTL反相器的静态特性，如图3．4．1所示，且IOH=-400uA，IOL=4 mA；又知图3．4．1(b)电路中，VCC=5 V，RC=1 kΩ，三极管β=50，饱和时VCES=0．3 V，VBES=0．7 V。 (1)求Rb=10 kΩ，开关K分别置于0和1处时的VA，VB，VO。 (2)Rb短路，电路能否正常工作？若不能试求出Rb的最小允许值。 (3)为保证电路正常工作，Rb的最大值应为多少？
均匀加宽气体激光工作物质的能级图如下图所示，其中能级0为基态。单位体积基态分子至上能级3的泵浦速率为R3，如果τ3/τ1合适，则可获得能级3→能级1跃迁的增益。然而基态分子也可被激励到能级2(单位体积的泵浦速率为R2)，如有与λ21相应的谐振腔，能级2→能级1跃迁可形成激光，它将使能级1的分子数密度增加，并使波长λ31的增益下降。假设系统处于稳态，各能级的统计权重均为1，能级2→能级1的自发辐射可忽略不计，1/τ3=1/τ30+1/τ31。
均匀加宽气体激光工作物质的能级图如图3．12所示
其中能级0为基态。单位体积基态分子至上能级3的泵浦速率为R3，如果τ3／τ1合适，则可获得能级3→能级1跃迁的增益。然而基态分子也可被激励到能级2(单位体积的泵浦速率为R2)，如有与λ21相应的谐振腔，能级2→能级1跃迁可形成激光，它将使能级1的分子数密度增加，并使波长λ31的增益下降。假设系统处于稳态，各能级的统计权重均为1，能级2→能级1的自发辐射可忽略不计，1／τ3=1／τ30十1／τ31。 (1)假设R2=0，能级2→能级1的跃迁未形成激光，写出能级3→能级1跃迁的小信号中心频率增益系数g0(λ31)的表示式； (2)假设R2≠0，能级2→能级1跃迁被激光强烈饱和，并忽略能级2→能级1的自发辐射，写出小信号中心频率增益系数g0(λ31)的表示式。
图所示稳态电路中，is(t)=2sin(104t+30°)mA，Is4=2A，Us5=57V，R4=6Ω，R5=3Ω，α=3，L=0.1mH，非线性电容的库伏特性为q=13.5
，t为电感线圈的损耗电阻，则回路谐振阻抗为()。
，t为电感线圈的损耗电阻，则回路空载品质因数为()。
