A.光游离; B.热游离; C.碰撞游离; D.二次发射; E.高电场发射; F.热发射; G.光发射
在测定半导体霍尔系数的实验中,由外电场εx导入的电流Jx称为原电流。在洛仑兹力和霍尔电场εy作用下产生的横向电流包括电子电流分量Jny和空穴电流分量Jpy,(1)求比值fc=Jny/Jx和fh=Jpy/Jx;(2)证明当电子电导率与空穴电导率相等时,上述比值有极大值。
设有电场εx、εy及磁场Bz作用于金属中的自由电子,试证明在一级近似下,磁场不能改变电子的分布函数。
在测定半导体霍尔系数的实验中,由外电场εx导入的电流称为原电流,在洛仑兹力和霍尔电场作用下产生了横向电子电流Jey和横向空穴电流Jpy。
(1)求平衡时,横向电子电流和空穴电流与原电流之比。
(2)证明,当电子和空穴的电导率相等时,上述比值达到极大值。
A、热游离,即高温阴极表面向周围空间发射电子的现象。
B、强电场发射,当开关动、静触头分离初瞬,开距S很小,虽然外施电压U不高,但电场强度E(E=U/S)很大。当其值超过33106V/m时,阴极表面的自由电子被强行拉出。
C、碰撞游离,自由电子的强电场作用下,加速向阳极运动,沿途撞击中性粒子,使之游离出自由电子和正离子,链琐反应,由此形成电流;
D、热电子发射,高温下的中性粒子不规则的热运动速度很高,是以在其彼此碰撞时游离出大量带电粒子;