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更多“激发温度直接影响谱线强度。但在AES中，控制其激发比在AAS…”相关的问题
第3题
计算激发下列谱线所需的最低管电压（括号中数字为相应吸收限的波长)。 （1)Mg的Kα谱线（0．049 6 n
计算激发下列谱线所需的最低管电压(括号中数字为相应吸收限的波长)。 (1)Mg的Kα谱线(0．049 6 nm)； (2)As的Lα谱线(0．937 0 nm)；
第4题
A1308.26nm（I)的谱线强度为8级，309.27nm（I)的谱线强度为9级。采用光谱分析确定试样中A1是否存在时，若前一谱
A1308.26nm(I)的谱线强度为8级，309.27nm(I)的谱线强度为9级。采用光谱分析确定试样中A1是否存在时，若前一谱线在试样谱带中出现而后一谱线未出现，可判断试样中有A1存在。 ( )
第6题
A1308．26 nm(I)的谱线强度为8级，309．27 nm(I)的谱线强度为9级。采用光谱分析确定试样中Al是否存在时，若前一谱线在试样谱带中出现而后一谱线未出现，可判断试样中有Al存在。 ()此题为判断题(对，错)。
第9题
X射线电子能谱、紫外光电子能谱与俄歇电子能谱的缩写符号分别为______。
A.XPS、UPS与AES；
B.UPS、AES与XPS；
C.XPS、AES与UPS；
D.UPS、XPS与AES。
第11题
用原子吸收光谱法测定某试样中Na的质量分数，吸收线为589.0nm。试计算在火焰原子化温度为2500K和30
00K时，比谱线的激发态与基态原子数的比值，计算结果说明了什么问题？
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