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[主观题]
假设半导体晶体受到电场E和磁场B的作用，且E在x-y平面上，B沿z方向，试在计入磁场对电子的各级作用下，推导半导
体电子在电磁场中的分布函数。
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如图所示，向半导体加一磁场B，从垂直于B的方向以
的光(光强为I)入射于半导体，在半导体表面附近产生电子—空穴对，当电子和空穴向半导体体内扩散时，受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离，于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。
A . 与原子发生能级间跃迁时激发态原子的有限寿命有关的自然宽度;
B . 由于原子在空间作无规则热运动所引起的谱线变宽，称为多普勒变宽或热变宽;
C . 吸光原子与蒸气中的原子或分子相互碰撞而引起能量的微小变化，使发射或吸收光量子频率改变而导致的谱线变宽，称作压力变宽，又可具体分为劳伦兹变宽、共振变宽或赫鲁兹马克(Holtsmark)变宽
D . 外界电场、带电粒子、离子形成的电场及磁场的作用使谱线变宽的现象称作场致变宽
A.用电磁铁线圈中的电流驱动钢针运动来印刷字符
B.液晶分子受电场、磁场、温度和应力等外部条件作用时重新排列
C.将颜料喷射到显示器上
D.将电子束有规律地打在带有荧光粉的显示屏上
E.利用激光调制技术和电子摄影技术制造静电浅像
A.正确
B.错误
T.对
F.错
