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[主观题]
有一质子,在匀强电场的某一点受到的电场力为1.6×10-12N,则该点电场强度的大小为______。
有一质子,在匀强电场的某一点受到的电场力为1.6×10-12N,则该点电场强度的大小为______。
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有一质子,在匀强电场的某一点受到的电场力为1.6×10-12N,则该点电场强度的大小为______。
一电子以3×107m/s的速度顺着电场线方向飞入匀强电场,前进了3×10-2m后速度减为0,求电场强度的大小。
A.-8.0×10-17J
B.1.6×10-15J
C.8.0×10-17J
D.-1.6×10-15J
A.电场力把单位负电荷从A点移到B点
B.电场力把单位正电荷从A点移到B点
C.电场力把单位正电荷从B点移到A点
D.洛仑兹力把单位正电荷从A点移到B点
如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴对,当电子和空穴向半导体体内扩散时,受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离,于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。