一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
已知某传感器特性方程为v1=5e2x,x为传感器的输入,v1为传感器的输出。如果对此传感器进行非线性补偿,实现vo=2x的补偿效果,试分别求开环和闭环两种补偿方式下补偿函数的表示式,并画出相应的补偿电路原理框图。
某星形联结的三相凸极同步发电机,其额定值为:SN=1650kV·A,UN=6.6kV,IfN=55A,E0N=7304V,cosφN=0.85(滞后)。已知Xd=3.18Ω,Xq=2.11Ω,忽略电枢电阻,并不计磁路饱和的影响。试问当发电机输出电流为1200A,且功率因数不变时,若要保持端电压仍为额定值,励磁电流应为多少?
在图22.12所示中,ROM的存储矩阵是由双极型晶体管构成的。(1)画出简化阵列图。(2)列表说明其存储的内容。(3)写出D0~D3的逻辑式。