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[主观题]
(1)忽略空间电荷区的复合电流,证明晶体管共发射极输出特性的精确表达式为 (2)若且,证明上式化为 式
(1)忽略空间电荷区的复合电流,证明晶体管共发射极输出特性的精确表达式为
(2)若且,证明上式化为
式中,,
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(1)忽略空间电荷区的复合电流,证明晶体管共发射极输出特性的精确表达式为
(2)若且,证明上式化为
式中,,
试证明:在晶体中 (1)电子的本征能量En(k)是k的偶函数,即 En(-k)=En(k) (2)在布里渊区的边界处,即在k0=π/(n=±1,±2,…)处 un(0)=0
若在GaAs LED中,μn/μp=30,Na=Nd,证明与电子电流相比较,空穴扩散电流可以忽略.
某金属与均匀掺杂的n-Si材料接触,组成肖特基势垒二极管,已知半导体一边的势垒高度qVD=0.6eV,ND=5×1016cm-3,试求在5V反偏电压下的空间电荷区厚度、界面处半导体中最大电场及单位面积的势垒电容,并做出该器件的1/C2与(VD-V)的关系曲线。
在光导电体两端加一定电压的情况下,光照射时,假如单位时间内整个光导电体中产生F个电子(空穴忽略),试证明光电流△I(光照射时,电流增加部分称为光电流)可由下式得出
△I=e·G·F
其中
为增益系数,τn为电子的寿命,t为所产生的电子飞越电极间所需要的时间。
电路如题A36图所示。其中均为交流小信号电流与电压。
(1) 试画出交流等效电路(可忽略、rce)
(2) 若、rce忽略不计,试求:输入电阻;输出电阻Ro。(要求画出Ro时的等效电路及推导求证步骤);电压放大倍数;电流放大倍数;源电压放大倍数。