均匀平面波垂直入射于理想导体平面时,距离媒质分界面()处会形成波腹点
A.λ/4
B.λ/2
C.3λ/4
D.λ
A.λ/4
B.λ/2
C.3λ/4
D.λ
干燥土壤的εr=4,μr=1,σ=10-3S/m,如有f=107Hz的均匀平面波在其中传播,求传播速度、波长及振幅衰减到10-6的距离。
如图所示,入射光线为x轴,第二面球面顶点O2偏离理想位置O1距离x0=0.01,y0=0.01,OO1为第一透镜厚度d1=2,第二面偏心φ4=0,θ4=0,试求对第二折射面而言入射光线O点的坐标x4、y4、z4值和入射光线的方向余弦α、β、γ值。
注:1—第一折射面 21—第二折射面在理想位置 22—第二折射面在实际位置 3—第三折射面
如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴对,当电子和空穴向半导体体内扩散时,受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离,于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。
如图所示,入射光线系x轴,第二面球面顶点O2偏离理想位置O1距离x0=0.1,y0=0.1,OO1为第一折射面和第二折射面之间间隔d1=1,第二面偏心φ4=0,θ4=-0.01弧度,试求对第二折射面而言,入射光线O点的坐标x4、y4、z4值。
A.在无限大接地导体平面(YOZ平面)上方2h处,电量为q
B.在无限大接地导体平面(YOZ平面)下方h处,电量为-q
C.在无限大接地导体平面(YOZ平面)上方h处,电量为2q
D.在无限大接地导体平面(YOZ平面)下方2h处,电量为q