题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
铜是面心立方结构,原子量设为W,绝对零度时晶格常数为a,设热缺陷全为肖特基缺陷,测得铜在温度T下的质量密度
为ρ,或者测定出体膨胀系数为β,求形成一个肖特基缺陷所需要的能量.
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为ρ,或者测定出体膨胀系数为β,求形成一个肖特基缺陷所需要的能量.
制造半导体元件的纯净锗必须仅含有10-9杂质原子,若将锗的结构看作为立方点阵,晶格常量设为0.5nm,试估计杂质原子之间的距离.