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在下图所示的组合放大电路中，已知晶体管VT1、VT2的参数分别为β1、rbe1、β2、rbe2，分析该电路中VT1和VT2管的组态，写出放大电路Au、Ri和Ro的表达式。
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场效应管和晶体管构成的两级放大电路如下图所示。已知V1的gm=0.6mA/V，VT2的rbb'=100Ω，UBE=0.7V，β=50，又知RG=1MΩ，RG1=RG2=200kΩ，RD=10kΩ，RS=10kΩ，RE=20kΩ，RB=200kΩ，RL=2kΩ，VCC=+15V。
在下图所示放大电路中，已知UDD=12V，RG=1MΩ，RS1=100Ω，RS2=2kΩ，各电容足够大，场效应三极管的饱和电流IDSS=5mA，夹断电压Up=-5V，gm=1.85mA/V，试求：
放大电路如下图(a)所示，已知晶体管的fT=200MHz，Cb'e=5pF，rbb'=50Ω，re=5Ω，β0=50，略去基极偏置电阻RB1、RB2的影响，试求该电路的Aus0、fH和G·BW。
放大电路如下图所示，已知RB=470kΩ，RC=6kΩ，RS=1kΩ，RL→∞，C1=C2=5μF，晶体管的参数为β=49，rbb'=500Ω，rbe=2kΩ,fT=70MHz，Cb'e=5pF，求下限截止频率fL和上限截止频率fH。
晶体管平均包络检波电路如下图(a)所示，C为滤波电容，R为检波负载电阻，图(b)所示为晶体管的转移特性，其斜率gc=100mS，已知VBB=0.5V，us(t)=0.2[1+0.5cos(Ωt)]cos(ωct)V。
在下图所示晶体管混频电路中，晶体管在工作点展开的转移特性为iC=a0+a1ube+a2，其中a0=0.5mA，a1=3.25mA/V，a2=7.5mA/V2，若本振电压uL=0.16cos(ωLt)V，信号电压us=10-3cos(ωct)V，中频回路谐振阻抗Rp=10kn，求该电路的混频电压增益Ac。
在下图所示的电路中，已知晶体管VT1、VT2、VT3的特性相同，且β足够大，导通电压VBE均为0.7V，VCC=15V，R1=10kΩ，R2=5kΩ，计算：
在下图所示差分电路中，已知u1=360cos(2π×106t)mV，u2=10cos(2π×103t)mV，VCC=VEE=10V，RE=10kΩ，晶体管的β很大，UBE(on)可忽略，试用开关函数求iC=iC1-iC2的关系式。
在图Ⅲ-8所示两级放大电路中，已知晶体管的β1=49，UBE1=0.7V，RB11=20kΩ，RB12=10kΩ，RC1=3kΩ，RE1=1.5kΩ；β2=59，UBE2=0.7V，RB2=56kΩ，RE2=5.6kΩ，UCC=1.2V。试求各级的静态工作点。
下图所示电路中，已知稳压管的UZ=5V，IZ=10mA；晶体管的β=100，UBEQ=0.7V，rbe=3kΩ
1、β
