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[主观题]
如在一样品的x方向上加有电场ε、在z方向加有磁场Bz,某空穴在t=0时vx0=v0cosθ,vy0=v0sinθ。这里θ为空穴初速度
如在一样品的x方向上加有电场ε、在z方向加有磁场Bz,某空穴在t=0时vx0=v0cosθ,vy0=v0sinθ。这里θ为空穴初速度与x轴夹角。试证位移对θ的平均值与v0无关。并讨论此结果说明什么问题?
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如在一样品的x方向上加有电场ε、在z方向加有磁场Bz,某空穴在t=0时vx0=v0cosθ,vy0=v0sinθ。这里θ为空穴初速度与x轴夹角。试证位移对θ的平均值与v0无关。并讨论此结果说明什么问题?
A.错误
B.正确
A.正确
B.错误
设R是从点M0(a,b,c)到任意点M(x,y,z)的距离,求证grad u是在
方向上的单位矢量.
如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴对,当电子和空穴向半导体体内扩散时,受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离,于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。
试证:于复数平面区域R中,在每一使f'(z)不等于零的点,u(x,y)沿曲线C:v(x,y)=const变动得最快,并且沿此曲线的变化率(方向微商)恒不等于零.