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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

功率晶体管三个电极分别为()。

A.阴极，门极，阳极

B.第一基极，发射极，第二基极

C.源极，栅极，漏极

D.发射极，基极，集电极

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第1题

绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为()。

A.阴极，门极，阳极

B.源极，栅极，漏极

C.发射极，栅极，集电极

D.发射极，基极，集电极

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第2题

场效应管三个电极分别为（)。

A.发射极，基极，集电极；

B.第一基极，发射极，第二基极；

C.源极，栅极，漏极；

D.阴极，门极，阳极。

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第3题

绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为（)。

A.发射极，基极，集电极；

B.发射极，栅极，集电极；

C.源极，栅极，漏极；

D.阴极，门极，阳极。

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第4题

在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是NPN 型锗管。()

在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是NPN 型锗管。（)

A.错误

B.正确

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第5题

在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为 2.8V、 3.5V、6V，则这只三极管属于（）。

A.硅PNP型

B.硅NPN型

C.锗PNP型

D.锗NPN型

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第6题

对于双极型晶体管来说，功率MOSFET的速度并不够快。()

对于双极型晶体管来说，功率MOSFET的速度并不够快。（)

A.错误

B.正确

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第7题

功率放大电路中的转换效率是指()。

A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比

B.最大输出功率与电流提供的平均功率之比

C.晶体管所消耗的功率与电流提供的平均功率之比

D.输出功率与输入功率之比

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第8题

计算机发展过程按使用的电子器件可划分为四代，其中第二代和第四代计算机使用的器件分别为_____。

A.晶体管

B.超大规模集成电路

C.小规模集成电路

D.电子管

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第9题

晶体管触发电路与单结晶体管触发电路相比，其输出的触发功率（）。A.较大B.较小C.一样D.最小

晶体管触发电路与单结晶体管触发电路相比，其输出的触发功率（）。

A.较大

B.较小

C.一样

D.最小

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第10题

某一晶体管工作在放大状态,测得其三个极的电位分别为－ 0.7V、－1V、－6V,则下列说法错误的是（)。

A.此晶体管为硅管

B.- 0.7V为发射极

C.-1V为基极

D.此晶体管为PNP管

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第11题

电晶体管集电极最大允许耗散功耗PCM取决于三极管允许的温升。集电极消耗功率大于PCM会烧坏三极管。（)

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