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在下图所示的晶体管中，已知ICQ=1.3mA，晶体管的β=50，Cπ=7pF，Cμ=3pF。试确定管子的共发射极截止频率fβ和特征频率fT。
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电路如图(a)所示，已知晶体管参数为hfe=40，rbb'=300Ω，试计算：
(1)ICQ、UCEQ；
(2)、Ri、Ro。
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2，VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
一个放大电路如下图所示，vs一为幅度可调的正弦波信号。在集电极回路串接了一个直流电流表，通过电流表读数可以判别放大器的失真情况。试分析当调整输入信号幅度时，分别出现IC=ICQ、IC＞ICQ和IC＜ICQ3种情况时放大器是否产生了失真？如果是则产生了何种失真？
在图4-24所示电路中，已知由晶体管等效电路所构成的二端口网络混合参数矩阵为
如果激励源电压=10mV，内阻抗Zs=1kΩ，负载导纳YL=10-3s，试求负载端电压
。
在图6-12所示的反对数变换器中，试证：
，其中
。已知VB=7V，R1=10kΩ，R2=15.7kΩ，R3=1kΩ，R5=10kΩ，试问：当vS由1mV变到10V时，在室温下相应vO的变化范围是多少？设各集成运放是理想的，各晶体管特件相同。
下图所示为一个三自由平面操作机。已知操作机的结构尺寸和输入运动参数θ1、θ2及θ3(如图中所示)。试求该操作机末端执行器的位姿方程。
发出的平均功率为()W。
