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[主观题]

图3-17所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,,VGS(th)=1.5V,试分别求出VGS=2.5

图3-17所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,图3-17所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,,VGS(t,VGS(th)=1.5V,试分别求出VGS=2.5V、3V时的VO。值,并进行分析。

图3-17所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,,VGS(t

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第1题
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第4题
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第5题
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第6题
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第7题
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第8题
图所示电路中,已知各电流表读数为则电压源发出的复功率为______。

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第9题
图所示电路中,已知电阻网络N的电阻参数矩阵为 求电路的零状态响应iL(t)。

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第10题
试在表3—4中选用元件,重新设计图3-17所示电路,使传输延迟尽可能短。

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第11题
图(a)所示电路,已知线性电阻网络N的Z参数为,iL(0-)=2A,求响应iL(t),t≥0。

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