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图3-17所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,,VGS(th)=1.5V,试分别求出VGS=2.5
图3-17所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,,VGS(th)=1.5V,试分别求出VGS=2.5V、3V时的VO。值,并进行分析。
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图3-17所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,,VGS(th)=1.5V,试分别求出VGS=2.5V、3V时的VO。值,并进行分析。
在教材图15.9.10所示的自给偏压偏置电路中,电阻RG起何作用?如果在RG=0(短路)和RG=∞(开路)两种情况下,则后果如何?在教材图15.9.11所示的分压式偏置电路中,RG又起何作用?
在图4-76所示的共集电极电路中,已知晶体三极管在ICQ=2mA时的参数为rbb'=50Ω,rb'e=1.3kΩ,Cb'e=2pF,fT=300MHz。试求高频电压传递函数Avs(s)=Vo(s)/Vs(s)的表示式。
下图所示电路中,运算放大器为理想的,Rw为电位器。试证明ab间的等效电容Cab=(1-k)C,式中k为电位器Rw的分压系数。
习题7-9图所示电路中,含源二端网络N通过Ⅱ型衰减电路连接负载RL,现欲使输出电流为N网络端口电流的1/3,负载RL应为多少?
(提示:用电流源I替代N网络,用电流源替代R2支路,画出等效电路图,再根据叠加原理求解。)
用MOSFET组成如下图所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0.05mA/V2,VTH=3V。若输入信号VI=100mV时,要求输出电压Vo=60mV,问此时应给FET加多大的栅极电压VG?
图所示的555电路的C-U端内部接到分压电阻2VCC/3处,若把用555设计的多谐振荡器的C-U端外接输入电压uI。
图(a)所示电路,已知线性电阻网络N的Z参数为,iL(0-)=2A,求响应iL(t),t≥0。