设一入射光子通量为Fph的单色光照射在“p+在n上”的p+n光电池的表面,表面反射和表面复合不予考虑。设吸收系数
设一入射光子通量为Fph的单色光照射在“p+在n上”的p+n光电池的表面,表面反射和表面复合不予考虑。设吸收系数为α,背面接触处的表面复合速度为S,设在p+层内的吸收忽略不计。推导n侧内光产生少数载流了密度和电流的表示式(如图所示)。
设一入射光子通量为Fph的单色光照射在“p+在n上”的p+n光电池的表面,表面反射和表面复合不予考虑。设吸收系数为α,背面接触处的表面复合速度为S,设在p+层内的吸收忽略不计。推导n侧内光产生少数载流了密度和电流的表示式(如图所示)。
A 仪器提供的单色光不纯,ε很难为常数
B 浓度C,由于化学反应,可能发生改变
C 存在其他的吸光物质
D A B C 选项都正确
关于磁通量量子化.
采用柱坐标(ρ,φ,z),设磁场B仅存在于很小的柱形区域ρ<a内,通量为Ф,ρ>a处无磁场.令a→0,但保持通量Ф不变.
A.等于零
B.不一定等于零
C.为μ0I
D.以上都不正确
一患者体重60kg,受8g源照射30s,若放射源所发出的γ射线有1%到达患者,试计算患者接受的剂量有多大?每次衰变产生两个γ光子,每个光子平均能量为1MeV,在人体组织减弱一半的厚度为10cm。
A . 69.41%;
B . 46.36%;
C . 2.82%;
D . 50.21%
有一球面反射镜r=-62mm,对一物体成像,,u1=-0.025,试求δL'm和δL'0.7h,并绘出球差曲线(以相对入射高度h/hm为纵坐标,轴向球差为横坐标,同时求出f'、l'H、l'F)。
用增强硅靶摄像管摄取图像信息,其光电流灵敏度为2×105μA/lm,负载电阻RL=100kΩ;用场效应管作前置放大器,其跨导为1.75mA/V,总分布电容C=23pF。若工作在室温300K下入射光通量的平均值为1.5×10-6lm,设上限频率为10MHz,求信噪比S/N为多少dB?
如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴对,当电子和空穴向半导体体内扩散时,受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离,于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。
M为原子核的质量,x为原子核质心的坐标,ω为振动频率.设开始时原子核的质心运动(谐振动)处于基态,t=0时,由于核内能级跃迁,沿x轴方向发射出一个光子,能量Eγ,动量Eγ/c.由于γ辐射是突然发生的,可以认为原子核的质心运动受到的唯一影响是动量本征值由p变成(p-Eγ/c).求发射光子后原子核质心运动仍然留在基态的概率.例如,对于57Fe核,Eγ=18keV,ω=1012Hz,求上述“无反冲辐射”(即没有能量传给原子)概率之值。