P+N结杂质分布Na=常数，Nd=Nd0e-x/L，导出C-V特性表达式．

P⁺N结杂质分布N_a=常数，N_d=N_d0e^-x/L，导出C-V特性表达式．

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第1题

P+N结杂质分布为Nd=Nd（0)exp（-x/L)．

P⁺N结杂质分布为N_d=N_d(0)exp(-x/L)．

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第2题

测得GaP材料制成的p+n结的势垒电容CT和反向电压VR的关系如下 VR（V) 0 0.5 1

测得GaP材料制成的p⁺n结的势垒电容C_T和反向电压V_R的关系如下

V_R(V)	0	0.5	1	1.5	2	2.5	3
C_T(pF)	20	17.3	15.6	14.3	13.3	12.4	11.6

pn结面积A=4×10^-4cm²，试求该p⁺n结的内建电场V_D和N_D。

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第3题

在P+N结二极管中，N区的宽度Wn远小于Lp，用=qS△pnA（S为表面复合速度)作为N侧末端的少数载流子电流，并以此为边

在P⁺N结二极管中，N区的宽度W_n远小于L_p，用=qS△p_nA(S为表面复合速度)作为N侧末端的少数载流子电流，并以此为边界条件之一，推导出载流子和电流分布．绘出在S=0和S=∞时N侧少数载流子的分布形状(数值解)．

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第4题

NPN双极结型晶体管发射区杂质分布为NdE（x)．晶体管处于正向有源模式．

NPN双极结型晶体管发射区杂质分布为N_dE(x)．晶体管处于正向有源模式．

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第5题

若P+N二极管N区宽度Wn和扩散长度同一数量级，推导小信号交流空穴分布和二极管导纳，假设在x=Wn处表面复合速度

若P⁺N二极管N区宽度W_n和扩散长度同一数量级，推导小信号交流空穴分布和二极管导纳，假设在x=W_n处表面复合速度无限大．

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第6题

若在GaAs LED中，μn/μp=30，Na=Nd，证明与电子电流相比较，空穴扩散电流可以忽略．

若在GaAs LED中，μ_n/μ_p=30，N_a=N_d，证明与电子电流相比较，空穴扩散电流可以忽略．

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第7题

在室温下，若n型硅品片的杂质浓度为ND=1016cm-3，后来加重掺杂的p区杂质浓度为NA=1018cm-3，计算其接触势φ、耗

在室温下，若n型硅品片的杂质浓度为N_D=10¹⁶cm^-3，后来加重掺杂的p区杂质浓度为N_A=10¹⁸cm^-3，计算其接触势φ、耗尽层厚度d以及耗尽层电容C₀/A。

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第8题

在一个金属-硅的接触中，势垒高度为=0.8eV，有效理查森常数为R*=102A/（cm2·K2)，Eg=1.1eV，Nd=1016cm-3，Nc=Nv=1

在一个金属-硅的接触中，势垒高度为=0.8eV，有效理查森常数为R^*=10²A/(cm²·K²)，E_g=1.1eV，N_d=10¹⁶cm^-3，N_c=N_v=10¹⁹cm^-3．

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第9题

（1) 将含有杂质P的硅晶体提纯到杂质浓度ND=1012cm-3，估算此半导体中本征区和饱和区、饱和区与冻结区的交界温

(1) 将含有杂质P的硅晶体提纯到杂质浓度N_D=10¹²cm^-3，估算此半导体中本征区和饱和区、饱和区与冻结区的交界温度。(2) 将含有杂质P的硅晶体重掺杂到N_D=10¹⁹cm^-3，估算此半导体中本征区和饱和区、饱和区与冻结区的交界温度。

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第10题

设某金属与（111)晶面n-Si组成肖特基二极管，已知其接触后半导体一边的势垒高度为0.50eV，ND=1015cm-3，Nc=2.8×

设某金属与(111)晶面n-Si组成肖特基二极管，已知其接触后半导体一边的势垒高度为0.50eV，N_D=10¹⁵cm^-3，N_c=2.8×10¹⁹cm^-3，电子亲和能χ=4.05eV，I_p=10μm，D_p=15cm²/s，n_i=1.5×10¹⁰cm^-3，A^*=252A/cm²K²(里查德常数)，求：