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题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

已知硅和锗PN结的反向饱和电流分别为10-14A和10-8A。若外加电压为-0．1 V、0 V、0．25 V、0．45 V、0．65

V时，试求室温下各电流I，并指出电压增加0．2 V时，电流增加的倍数。

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第1题

如图所示为一柱透镜汇聚的光照射在一条状半导体pn结上，已知在室温下n区电阻率为40Ω·cm，p区电阻率为0.1Ω·cm，

反向饱和电流为1μA，电子迁移率为3600cm²/(V·s)，空穴迁移率为1800cm²/(V·s)，n区的电子深度为3×10¹³cm^-3，试回答下列问题：

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第2题

某半导体逻辑器件的内部电路如图所示。已知PN结的正向压降为0.7V，晶体管的正向放大系数βF=100，反向放大系数β

某半导体逻辑器件的内部电路如图所示。已知PN结的正向压降为0.7V，晶体管的正向放大系数β_F=100，反向放大系数β_R≈0，V_CC=5V，其他参数按理想器件考虑。

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第3题

锗材料二极管的PN结导通电压典型值为（)。

A.0.5V

B.0.1V

C.0.3V

D.0.7V

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第4题

测得晶体管三个电极对地的电压分别为－2V 、－8V 、－2.2V ，则该管为 _________

A.NPN 型锗管

B.PNP 型锗管

C.PNP 型硅管

D.NPN型硅管

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第5题

测得晶体管三个电极对地的电压分别为－2V 、－8V 、－2.2V ，则该管为 _________

A.NPN 型锗管

B.PNP 型锗管

C.PNP 型硅管

D.NPN型硅管

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第6题

在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为 2.8V、 3.5V、6V，则这只三极管属于（）。

A.硅PNP型

B.硅NPN型

C.锗PNP型

D.锗NPN型

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第7题

若PN结两侧的杂质浓度高，则形成的PN结反向漏电流大，反向击穿电压高。()

若PN结两侧的杂质浓度高，则形成的PN结反向漏电流大，反向击穿电压高。（)

A.正确

B.错误

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第8题

二极管加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。()

二极管加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。（)

A.正确

B.错误

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第9题

PN结外加反向电压时，其内电场()。

PN结外加反向电压时，其内电场（)。

A.减弱

B.不变

C.增强

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第10题

当PN结外加反向电压时，扩散电流()漂移电流。

当PN结外加反向电压时，扩散电流（)漂移电流。

A.大于

B.小于

C.等于

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第11题

PN结外加反向电压时，其内电场（)

A.减弱

B.不变

C.增强

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