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更多“为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽…”相关的问题
第1题
Ge的导带与价带之间的能隙Eg=0.72eV，若用Ge来探测γ射线，①吸收1个由137Cs发出的能量为662keV的光子，能把Ge的
Ge的导带与价带之间的能隙Eg=0.72eV，若用Ge来探测γ射线，①吸收1个由137Cs发出的能量为662keV的光子，能把Ge的多少个价带电子激发到导带？②若上面算得的电子数为n，则其统计涨落为
第3题
在OK时，本征半导体的价带完全被电子占据，而导带则完全未被占据，此时的晶体为绝缘体．在较高温度下，价带中的
电子因热激发会跃迁到导带，在价带中留下空穴，晶体就形成半导体．设晶体价带与导带之间的禁带宽度为εg，试
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证明：温度为T时，本征半导体中电子和空穴的浓度ne和nh为
第5题
N型半导体比相应的本征半导体导电性能好的原因是[ ]．A．有特殊的价带，电子易于跃迁B．有特殊的
N型半导体比相应的本征半导体导电性能好的原因是[ ]．
A．有特殊的价带，电子易于跃迁
B．有特殊的导带，电子易于跃迁
C．有施主能级，电子易于跃迁
D．有受主能级，电子易于跃迁
第10题
的光子撞在静止的电子上，散射到与入射方向夹角为的方向上。证明散射光子的频率变化量为 λ为散射前光子波
的光子撞在静止的电子上，散射到与入射方向夹角为的方向上。证明散射光子的频率变化量为
λ为散射前光子波长2π/k，m0为电子的静止质量。
