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[主观题]

设计一单管晶体管放大电路,已知RL=3kΩ。要求|Au|≥60,ri≥1kΩ,ro<3kΩ,工作点稳定。建议选用高频小功率管3GD100,

设计一单管晶体管放大电路,已知RL=3kΩ。要求|Au|≥60,ri≥1kΩ,ro<3kΩ,工作点稳定。建议选用高频小功率管3GD100,其技术数据见附录C,β值可选在50~100之间,最后核查静态工作点是否合适。求得的各电阻值均采用标称值(查附录H)。

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第1题
在单管晶体管放大电路中,电压放大倍数小的电路是()。

A.共集电极电路

B.共发射极电路

C.共基极电路

D.分压式偏置电路

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第2题
电路如图6.4.1所示。已知C=150pF,RL=1kΩ,L=780μH,线圈匝数如图所示。晶体管的rce=10kΩ,Cμ=20pF。回
路品质因数Qo=100。求:

(a)回路的谐振频率fo和通频带BW0.7。 (b)如要求通频带为10kHz,用什么方法可以满足要求?

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第3题
已知两个单管放大电路的电压放大倍数分别为20和30,若将它们连接起来组成两级阻容耦合放大电路,其总的电压放大倍数约为()。

A、50

B、10

C、600

D、无法确定

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第4题
一个单管共射放大电路如果通过电阻引入负反馈,则()。

A.一定会产生高频自激

B.可能产生高频自激馈

C.一般不会产生高频自激

D.一定不会产生高频自激

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第5题
在晶体管电压放大电路中,当输入信号一定时,静态工作点设置偏向截止区将可能产生()。

A.频率失真

B.顶部失真

C.底部失真

D.交越失真

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第6题
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所

一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av

计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。

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第7题
V管和VT管组成的混合放大电路如下图所示,已知gmRE1、β1。试:

V管和VT管组成的混合放大电路如下图所示,已知gmRE1、β1。试:

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第8题
某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12K的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为()。

A.4K

B.3K

C.2K

D.10K

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第9题
图4-77为某一集成运放的中间增益级交流通路,若忽略共集电路上限频率的影响,试计算该电路的上限频率fH。已知R

图4-77为某一集成运放的中间增益级交流通路,若忽略共集电路上限频率的影响,试计算该电路的上限频率fH。已知Rs=1kΩ,ICQ1=16μA,ICQ2=550μA,R1=50kΩ,R2=100Ω,RL=83kΩ为有源负载的等效电阻,T1和T2两管的参数均为rbb'=50Ω,β=250,Cb'e=2pF,ωT=109rad/s。设rce忽略不计。

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第10题
单管共发射极放大电路,输入信号和输出信号相位相同()
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第11题
单管共发射极放大电路,输人信号和输出信号相位相同()
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