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场效应管自举电路如图2-27(a)所示。已知：UDD=20V，Rg3=51MΩ，Rg1=200kΩ，Rg2=200kΩ，Rs=22kΩ，gm=1mA/V，试计算：
(1) 无自举电容C时，电路的输入电阻Ri；
(2) 有自举电容C时，电路的输入电阻Ri。
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试用图解法确定图LP3-11(a)所示电路的IDQ和VDSQ，场效应管的输出特性曲线如图LP3-11(b)所示。
下图所示电路中，设所有晶体管的β均为30，VT3和VT4的rbe=2.5kΩ，场效应管的gm=4mS，其他参数如图中所示，图中所有电位器的滑动端均在中间位置。试：
电路如图L10-4-1所示，其中门G1、G2均为CMOS反相器，T为NMOS场效应管，vI为输入信号，为连续可变正信号，且有RP足够大，RF远大于RON(N)和RON(P)，试分析该电路的工作原理。
在图2-27所示网络中，已知C4=C5=0.5F，L6=2H，L1=1H，R2=1Ω，R3=2Ω，is(t)=
图题7.30所示场效应管调频电路中，设振荡器频率f0=70MHz;场效应管跨导gm=1～2mS，线性可变；C的容抗等于R的10倍；若C0=25pF，试求可用的最大频偏。
图3-17所示为分压式衰减电路，已知EMOS场效应管工作在非饱和区，若V1=200mV，
，VGS(th)=1.5V，试分别求出VGS=2.5V、3V时的VO。值，并进行分析。
绝缘栅场效应管组成图1-15(a)所示，图1-15(b)为其输出特性曲线。试问：
(1) 图1-15(a)中VT管为哪种导电沟道的场效应管？
(2) 要使电路正常工作，VT管应为何种类型的场效应管？
(3) 在图1-15(b)所示曲线和参数条件下，电路能否正常工作？此时VT管处在何种工作状态？
(4) 若将图1-15(a)中VT管改为同样沟道的另一种类型管，电路应作何改动才能正常工作？
图LP3-15所示为分压式衰减电路，已知EMOS场效应管工作在非饱和区，若VI=200 mV，μnCoxW／(2l)=0．01mA／V2，VGS(th)=1．5 V，试分别求出VGS=2．5 V、3 V时的VO值，并进行分析。
