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[主观题]

求出上题耗尽型绝缘栅场效应管3D01E在UGS=-1V时的跨导gm。

求出上题耗尽型绝缘栅场效应管3D01E在U_GS=-1V时的跨导g_m。

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第1题

增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压，才能形成导电沟道而导通。()

增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压，才能形成导电沟道而导通。（)

A.错误

B.正确

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第2题

（）的本质是一个场效应管。A.肖特基二极管B.电力晶体管C.可关断晶闸D.绝缘栅双极晶体管

（）的本质是一个场效应管。

A.肖特基二极管

B.电力晶体管

C.可关断晶闸

D.绝缘栅双极晶体管

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第3题

场效应管分压式偏置电路适合于（)场效应管组成的放大电路。

A.增强型

B.耗尽型

C.增强型和耗尽型

D.以上均不对

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第4题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。（)

A.错误

B.正确

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第5题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。（)

A.正确

B.错误

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第6题

结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。()

结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（)

A.错误

B.正确

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第7题

结型场效应管利用栅源极间所加的来改变导电沟道的电阻

A.反偏电压

B.反向电流

C.正偏电压

D.正向电流

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第8题

耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。

A.必须正偏

B.必须零偏

C.必须反偏

D.可以正偏、零偏或反偏

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第9题

图题7.30所示场效应管调频电路中，设振荡器频率f0=70MHz;场效应管跨导gm=1～2mS，线性可变；C的容抗等于R的10倍

图题7.30所示场效应管调频电路中，设振荡器频率f₀=70MHz;场效应管跨导g_m=1～2mS，线性可变；C的容抗等于R的10倍；若C₀=25pF，试求可用的最大频偏。

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第10题

在变频技术中，绝缘栅双极型晶体管的英文缩写是：（)

A.GTO

B.MOSFET

C.PIC

D.IGBT

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