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在题7-5图所示各电路中,是否对集成运放的共模抑制比要求较高,为什么?

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第1题
已知集成运放的开环差模增益Aod=2×105,差模输入电阻rid=2MΩ,输出电阻ro=200Ω。试用方块图法分别求题5-18图所

已知集成运放的开环差模增益Aod=2×105,差模输入电阻rid=2MΩ,输出电阻ro=200Ω。试用方块图法分别求题5-18图所示各电路的A、F、Af、Rif、Rof

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第2题
试推导图6-8所示电路中vo(t)与vs(t)之间的关系式,设各集成运放是理想的。

试推导图6-8所示电路中vo(t)与vs(t)之间的关系式,设各集成运放是理想的。

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第3题
在图4-69所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶体管的|VA|均为100V

在图4-69所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶体管的|VA|均为100V,|VBE(on)|=0.7V,并设T23的输入电阻为9.1MΩ,IC17=550μA,|VCC|=|VEE|=15V,试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻Ri和电压增益Av

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第4题
试画出图6-17所示电路vO随v1变化的传输特性。设各集成运放及二极管是理想的。

试画出图6-17所示电路vO随v1变化的传输特性。设各集成运放及二极管是理想的。

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第5题
图6-13所示为平方根电路,已知R1=R2=R3=R4,试证。设各集成运放是理想的,各晶体管特性相同。

图6-13所示为平方根电路,已知R1=R2=R3=R4,试证。设各集成运放是理想的,各晶体管特性相同。

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第6题
在图6-26(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cφ=2pF,试求BWG、SR将它接成图6-26(b)所示的同相跟随器。试求:

在图6-26(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cφ=2pF,试求BWG、SR将它接成图6-26(b)所示的同相跟随器。试求:

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第7题
试画出图4.5.10所示电路vo随vi变化的传输特性曲线。设各集成运放及二极管是理想的。

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第8题
在图6-22所示电路中,若集成运放的Avd、Rid、Rod为有限值,试在满足RodRidAvd的条件下,求出输出电压vO的表达式。

在图6-22所示电路中,若集成运放的Avd、Rid、Rod为有限值,试在满足RodRidAvd的条件下,求出输出电压vO的表达式。

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第9题
图5-23(a)所示为某集成运放的内部电路框图,它为无零三极系统,各极点角频率值由相应的R和c决定。已知R1=300kΩ

图5-23(a)所示为某集成运放的内部电路框图,它为无零三极系统,各极点角频率值由相应的R和c决定。已知R1=300kΩ,R2=30kΩ,R3=3kΩ,C1=50pF,C2=C3=5pF,|Av1|=10,|Av2|=|Av3|=102,若把它接成图5-23(b)所示的同相放大电路,为保证反馈放大器稳定工作,可采用简单电容补偿,亦可采用如图5-23(c)所示密勒电容补偿。图中gm2=Av2/R2,试求两种补偿时所需的电容值。设密勒补偿时ωp1≈ωd,各级的输入和输出电阻对电路影响忽略不计。

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第10题
在上题所示电路中,若集成运放的KCMR、Avd为有限值,试求输出电压vo的表达式。

在上题所示电路中,若集成运放的KCMR、Avd为有限值,试求输出电压vo的表达式。

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第11题
在图6-6所示电路中,集成运放满足理想化条件,电容上的起始电压为零。在t=0时,加到同相输入端的电压为vs=10e-t

在图6-6所示电路中,集成运放满足理想化条件,电容上的起始电压为零。在t=0时,加到同相输入端的电压为vs=10e-t/τ(mV),其中τ=5×10-4s。试求输出电压vO(t)。

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