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题目内容 (请给出正确答案)
[主观题]

有关肖特基二极管的特点描述错误的是()。

A.以金属和半导体接触形成的势垒为基础

B.反向恢复时间短

C.正向恢复过程没有明显的电压过冲

D.主要应用于高频整流和逆变电路中

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已知肖特基二极管的下列参数:=5.0V,χs=4.05eV,Nc=1019cm-3Nd=1015cm-3,εr=11.9.假设界面态密度是可以忽略的,在300K时计算下列

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第7题
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第8题
肖特基检波器具有10pF的电容、10Ω的串联电阻以及100Ω的二极管电阻,计算它的截止频率.
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第9题
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第10题
(1)推导出在肖特基二极管中dV/dT作为电流密度函数的表达式.假设少数载流子电流可以忽略. (2)如果在300K时,

(1)推导出在肖特基二极管中dV/dT作为电流密度函数的表达式.假设少数载流子电流可以忽略.

(2)如果在300K时,V=0.25V,=0.7V,估计温度系数.

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第11题
设某金属与(111)晶面n-Si组成肖特基二极管,已知其接触后半导体一边的势垒高度为0.50eV,ND=1015cm-3,Nc=2.8×

设某金属与(111)晶面n-Si组成肖特基二极管,已知其接触后半导体一边的势垒高度为0.50eV,ND=1015cm-3,Nc=2.8×1019cm-3,电子亲和能χ=4.05eV,Ip=10μm,Dp=15cm2/s,ni=1.5×1010cm-3,A*=252A/cm2K2(里查德常数),求:

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