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式中，(△p)0为表面处光注入产生的非平衡空穴浓度。
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现有一块掺杂浓度ND=1016cm2的n-Ge的样品，其厚度d＞＞Lp，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10-3W/cm2的红光垂直照射，除反射之外，其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收，产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1，表面对这种光的反射系数R=40%，光生载流子的寿命τ=1.82×10-3s，电子迁移率μn=2800cm2/(V·s)，空穴迁移率μp=700cm2/(V·s)，普朗克常数h=6.6×10-34J·s，光速C=3×1010cm/s(如图所示)。
试求：室温(300K)下样品光照面和底面之间的开路电压Vx。
一氯乙酸在水溶液中进行分解，反应式如下： ClCH2COOH+H2O→HOCH2COOH+HCl 今用A=2537A的光照射浓度为0．5mol／L的一氯乙酸样品1L，照射时间为t，样品吸收的能量ε及
的实验结果如下：
当用同样的样品在暗室中进行实验时，发现每分钟有3．5×10-10mol／L的Cl-生成。试计算该反应的量子效率
。
设一块n型半导体材料，其室温暗电导率为100S/cm，当以强度I=10-6W/cm2的光照射时，其吸收系数α=102/cm，测得其稳态光电导率与暗电导率之比γ=10，寿命τ为10-4s，b=μn/μp=10，μn=10000cm2/(V·s)，求对应的量子产额。
A . 基态原子
B . 激发态原子
C . 基态分子
D . 原子核
工作物质的能级系统如下图(b)所示。单位体积中自基态能级0→能级2的激励速率是R2，能级1的寿命极短，以至于该能级的粒子数密度n1≈0，能级2的寿命是τ2。今有一宽为T(T＞τ2)，光强为I，频率与能级2-能级1跃迁中心频率相应的矩形脉冲光照射该工作物质。观察者用光探测器检测其侧荧光并用示波器记录荧光波形。入射光脉冲及荧光波形图如图(a)所示，S0与S1分别为无光照及有光照时的侧荧光达到稳态时的光强。
A.错误
B.正确
工作物质的能级系统如图3．18(b)所示。单位体积中自基态能级0→能级2的激励速率是R2，能级1的寿命极短，以至于该能级的粒子数密度n1≈0，能级2的寿命是τ2。今有一宽为T(T＞τ2)，光强为I，频率与能级2一能级1跃迁中心频率相应的矩形脉冲光照射该工作物质。观察者用光探测器检测其侧荧光并用示波器记录荧光波形。入射光脉冲及荧光波形图如图3．18(a)所示，S0与S1分别为无光照及有光照时的侧荧光达到稳态时的光强。
(1)给出S0／S1的表达式； (2)光脉冲照射时，侧荧光光强以指数方式衰减至稳定值S1，试给出时间常数τa的表示式； (3)光脉冲结束后侧荧光光强按指数上升，最后恢复到稳定值S0，试给出时间常数τb的表示式； (4)利用上述实验，能测出该工作物质的哪些参数？
