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[主观题]
用MOSFET组成如下图所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0.05mA/V2,VTH=3V。若输入信号VI=100mV时,要求输出
用MOSFET组成如下图所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0.05mA/V2,VTH=3V。若输入信号VI=100mV时,要求输出电压Vo=60mV,问此时应给FET加多大的栅极电压VG?
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用MOSFET组成如下图所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0.05mA/V2,VTH=3V。若输入信号VI=100mV时,要求输出电压Vo=60mV,问此时应给FET加多大的栅极电压VG?
电路如下图所示,VCC=15V,设VT4、VT5管的饱和压降可以忽略,RF=3.8kΩ,R1=200Ω。问:
倍压整流电路如下图所示,v1、v2为50Hz的正弦波交流电压,试说明该整流电路正常工作的条件?在符合正常工作的条件下求负载RL两端的电压VL。
由理想运放组成的电路如下图所示,Ui=0.2V,开关K在t=0时断开,试求经过多长时间输出电压达到限幅值(稳压值)。
下图所示电路中,运算放大器为理想的,Rw为电位器。试证明ab间的等效电容Cab=(1-k)C,式中k为电位器Rw的分压系数。
试分析一下图6-16(a)所示、用3只晶闸管接于星形负载中点的三相交流凋压电路中晶闸管的导通和关断条件。
用PN结温度传感器配接的放大电路如下图所示。其中RW1和R3调节温度T和输出电压Vo的对应关系,RW2用于调节增益。若R3R2,PN结温度特性为-2.2mV/℃,试求:
放大电路如下图所示,T1管为硅管,T2管为锗管,β1=β2=60,试解答:
(1)调整Rb1为何值时,才能使两管的集电极静态电流IC1=IC2;
(2)计算放大电路的输入电阻Ri;
(3)计算电压放大倍数。
提示:T2,Re2,Rb2和Rb3组成电流源,取代T1管的集电极电阻,即IC2为恒定值。