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[主观题]
以p型衬底为例证明由空间电荷区边界xd处开始电势按抛物线方式上升，即 式中
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以GaAs各向同性立方晶体为例，证明当其受到平行于立方体轴(例如x1方向)的单向应力作用时，晶体由光学各向同性变成了单轴晶体。
空穴浓度为1016cm-3的p型锗，室温下与金属连接，通以A的电流。求接头处吸收或放出的帕尔帖热(设为长声学波散射)。
A.P=∑4Lj(j表示地物边界像素点的个数)
B.P=∑3Lj(j表示地物边界像素点的个数)
C.P=∑2Lj(j表示地物边界像素点的个数)
D.P=∑Lj(j表示地物边界像素点的个数)
在非参量型广义符号检测中，已知P(R=l|H1)为
证明当k→∞时，该P(R=l|H1)为
在非参量型广义符号检测中，已知P(R=l|H1)为
证明：(1)当k=1时，概率P(R=l|H1)|k=1为
(2)当K=2时，概率P(R=l|H1)|k=2为
证明：以p，q为对称点的圆周的方程为
=k＞0， 当k=1时，退化为以p，q为对称点的直线．
在以过滤速度为120m/d的快速过滤池中，过滤开始后，在距沙层表面5cm，15cm和25cm处安装的测压管水位随时间下降的关系如表1所示，由测压管水位的基准线测量的过滤池水面恒为250cm，设过滤池中的水深为90cm时，试求表层(沙层表面至5cm)、第二层(5～15cm)、第三层(15～25cm)的渗透系数及各层边界处的压强水头随时间的变化。
| 表1 测压管水头随时间变化表 | |||||||||
| 位置 (cm) | 时刻(h) | ||||||||
| 0 | 3 | 6 | 9 | 12 | 15 | 18 | 21 | 24 | |
| 水头H(cm) | |||||||||
| 5 | 248.3 | 240.1 | 230.1 | 219.3 | 207.8 | 194.2 | 178.0 | 163.3 | 147.2 |
| 15 | 245.8 | 235.1 | 223.3 | 210.2 | 197.0 | 180.3 | 160.8 | 141.9 | 122.0 |
| 25 | 243.7 | 232.5 | 220.4 | 206.9 | 193.2 | 176.2 | 156.4 | 137.2 | 116.8 |
设圆柱面x2+y2=R2上的两条光滑曲线Г1与Г2在点P处相交，两者的夹角为α，又设Г1，Г2与柱面的任一母线均不相切．沿着不经过点P的某条母线将柱面剪开铺在平面上．铺开后，曲线Г1与Г2分别变成曲线Г'1与曲线Г'2，点P变为P'。证明：Г'1与Г'2在点P'处的夹角为α．
