题目内容
（请给出正确答案）
(1)忽略空间电荷区的复合电流，证明晶体管共发射极输出特性的精确表达式为
(2)若且
，证明上式化为
式中，，
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“（1)忽略空间电荷区的复合电流，证明晶体管共发射极输出特性的…”相关的问题
试证明：在晶体中 (1)电子的本征能量En(k)是k的偶函数，即 En(-k)=En(k) (2)在布里渊区的边界处，即在k0=π/(n=±1，±2，…)处 un(0)=0
若在GaAs LED中，μn/μp=30，Na=Nd，证明与电子电流相比较，空穴扩散电流可以忽略．
某金属与均匀掺杂的n-Si材料接触，组成肖特基势垒二极管，已知半导体一边的势垒高度qVD=0.6eV，ND=5×1016cm-3，试求在5V反偏电压下的空间电荷区厚度、界面处半导体中最大电场及单位面积的势垒电容，并做出该器件的1/C2与(VD-V)的关系曲线。
在光导电体两端加一定电压的情况下，光照射时，假如单位时间内整个光导电体中产生F个电子(空穴忽略)，试证明光电流△I(光照射时，电流增加部分称为光电流)可由下式得出
△I=e·G·F
其中
为增益系数，τn为电子的寿命，t为所产生的电子飞越电极间所需要的时间。
电路如题A36图所示。其中
(1) 试画出交流等效电路(可忽略
(2) 若
