高通电路如下图所示,已知Q=1,试求其幅频响应的峰值,以及峰值所对应的角频率。设ωc=2π×200(rad/s)。
高通电路如下图所示,已知Q=1,试求其幅频响应的峰值,以及峰值所对应的角频率。设ωc=2π×200(rad/s)。
高通电路如下图所示,已知Q=1,试求其幅频响应的峰值,以及峰值所对应的角频率。设ωc=2π×200(rad/s)。
下图所示为一弯月形厚透镜,已知物高y=28mm,物方孔径角u=-0.0588,r1=40mm,r2=30mm,d=28mm,n=1.62。试求其焦距和SⅣ。
电路如下图所示,电路上、下完全对称,已知:u2=0.2cos(Ωt)·cos(ωct)V,u1=2cos(ωct)V,ωc为高频,Ω为低频,二极管检波效率ηd≈1。试写出uO1、uO2、uO的表达式,说明电路具有什么功能?
四等臂双变电桥放大电路如下图(a)所示。已知R=1kΩ,R1=R(1+x),R2=R(1-x),,R5=R6=10kΩ,E=10V。试求:
下图所示为测量电容器漏电阻Rs的电路。已知:E=220V,C=0.2μF。先将电容器充电到稳定值,然后将开关S打开,经20s后将开关与检流计G接通。此时,从冲击检流计中读出的电容器的电荷Q=20×10-6C。试求Rs值。
共集电路如下图所示,硅管的β=49,rbe=0.9kΩ,试解答:
(1)求出输入电阻Ri;
(2)算出电压放大倍数和。
某DAC电路如下图所示,图中当Qi=1时,相应的模拟开关Si打在1的位置;当Q一0时,相应的模拟开关S;打在0的位置。
磁路结构如下图所示,设磁铁长度L、横截面积Sm、工作气隙外径D、内径d及长度h皆为已知,并假设永久磁铁材料已经确定,试叙述求气隙中的磁通和磁场强度的方法与步骤。
电路如下图所示。已知C=150pF,RL=1kΩ,L=780μH,线圈匝数如图所示。晶体管的rce=10kΩ,Cμ=20pF。回路品质因数Qo=100。求:
电路如下图所示。已知晶体管VT1~VT3特性相同,集电极电流,电阻比RF/R=n。求开关S在位置1和2时的输出uo。