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第3题
用MOSFET组成如下图所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0.05mA／V2，VTH=3V。若输入信号VI=100mV时，要求输出
用MOSFET组成如下图所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0.05mA/V2，VTH=3V。若输入信号VI=100mV时，要求输出电压Vo=60mV，问此时应给FET加多大的栅极电压VG？
第4题
一个3路码分复用基带传输系统如下图（a)所示。三个地址码分别为c1=01010101；c2=00110011和c3=01100110。码序列
一个3路码分复用基带传输系统如下图(a)所示。三个地址码分别为c1=01010101；c2=00110011和c3=01100110。码序列的波形均为双极性NRZ码，码片“1”对应一1电平；“0”对应+1电平。已知接收的CDM扩频信号波形等于发送的波形，即r(t)=s(t)，其中一个比特的波形如下图(b)所示。画出图中x1(t)，x2(t)和x3(t)的波形，并指出在抽样时刻抽样器的输出值y1(Tb)，y2(Tb)，y3(Tb)发送的数据b1b2b3等于什么(1或-1)。
第5题
电路如下图（a)所示，其中G0，G1，G2，…，GN为TTL同系列与非门，它们的输入特性和输出特性分别如下图（b)、（c)和（d)
电路如下图(a)所示，其中G0，G1，G2，…，GN为TTL同系列与非门，它们的输入特性和输出特性分别如下图(b)、(c)和(d)所示。受功耗的限制，规定高电平输出电流不能超过400μA。已知G0的输出电平满足VoH≥3.2V，VoL≤0.25V。问G0最多可以驱动多少个负载门？
第7题
电路如下图所示。已知晶体管VT1～VT3特性相同，集电极电流，电阻比RF／R=n。求开关S在位置1和2时的输出uo。
电路如下图所示。已知晶体管VT1～VT3特性相同，集电极电流
第8题
若已知调频信号is（t)=Ismcos[2π×106t＋50sin（2π×103t)]A，试问下图（a)所示斜率鉴频器中LC回路如何调谐？
若已知调频信号is(t)=Ismcos[2π×106t+50sin(2π×103t)]A，试问下图(a)所示斜率鉴频器中LC回路如何调谐？
第10题
设CPLD中某宏单元编程后电路如下图所示，图中画出了S1～S8和M1、M3编程后的连接。数据分配器S1～S8未被选中的输
设CPLD中某宏单元编程后电路如下图所示，图中画出了S1～S8和M1、M3编程后的连接。数据分配器S1～S8未被选中的输出为0。已知各乘积项如下图中所示。
