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[主观题]
硅晶体掺入磷原子后变成什么型的半导体？这种半导体是电子多了，还是空穴多了？这种半导体是带正电、带负电，还
是不带电？
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硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后，施主能级和硅的导带底的能级差为△ED=0.045eV。试计算此掺杂半导体能吸收的光子的最大波长。
X射线晶体衍射表明四环己基二磷(Cy2P—PCy2，Cy=环己基)采取类似邻位交叉的构象，磷原子上孤对电子之间的二面角约为90°。这可以通过磷原子孤对电子之间的交叉式相互作用解释。试给出另外一种解释。(提示：四环己基乙硅烷采取了类似的构象。)
(1) 将含有杂质P的硅晶体提纯到杂质浓度ND=1012cm-3，估算此半导体中本征区和饱和区、饱和区与冻结区的交界温度。(2) 将含有杂质P的硅晶体重掺杂到ND=1019cm-3，估算此半导体中本征区和饱和区、饱和区与冻结区的交界温度。
二氧化硅的熔沸点较高的原因是( )。
(A) 二氧化硅中，硅氧原子个数之比为1:2
(B) 二氧化硅晶体是立体网状的原子晶体
(C) 二氧化硅中，Si-O键的键能大
(D) 二氧化硅晶体中原子以共价键相结合
在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体()。
A、正确
B、错误
