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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

()是芯片制造过程中在元器件表面上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以使形成互连线和集成电路填充塞的过程。

A.刻蚀

B.薄膜制备

C.填充

D.金属化

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第1题
美国人工智能产业布局全面领先,在基础层、技术层和应用层,尤其是在算法、芯片的数据等产业核心领域,都积累了强大的技术创新优势,各层级企业数量全面领先我国。相比而言,我国在基础元器件、基础工艺等方面差距较大。()
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A、正确

B、错误

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第2题
通常我们所说的CPU的“制作工艺”指的是在生产CPU过程中,进行加工各种电路和电子元件,制造导线
连接各个元器件的工艺。通常生产的精度以微米表示。()

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第3题
在芯片的制造过程中首先需要对芯片进行减薄与切割,详细叙述芯片切割的几种方式与以及他们的工艺流程。
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第4题
下列哪项数据不是在约束文件定义的?()。

A.管脚属性

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第5题
化学汽相淀积的英文缩写是()。

A.VPE

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第6题
物理汽相淀积的英文缩写是()。

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第7题
电镀金是用电化学的方法在固体表面上电沉积一层金的过程()
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第8题
集成电路自1959年被发明以来,其发展的总趋势是:在单位面积的芯片上集成的电子元件越来越多,而连接这些元器件的线宽却越来越窄。集成电路现在正在向更窄的线宽迈进。如我国华为公司设计的手机芯片“麒麟980”就采用了()纳米的最新工艺。

A.10

B.7

C.5

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第9题
土壤中所有的淀积层都出现在土壤剖面的下部。()

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第10题
CVD常用于淀积介质薄膜。()
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第11题
典型土壤剖面可划为三个基本层:A层:地表最上端,腐殖质在这一层聚积;B层:粘粒在这里淀积,称淀积层或过渡层;C层:不同程度风化物构成,称为母质层。()
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