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放大电路如下图(a)所示，已知晶体管的fT=200MHz，Cb'e=5pF，rbb'=50Ω，re=5Ω，β0=50，略去基极偏置电阻RB1、RB2的影响，试求该电路的Aus0、fH和G·BW。
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电路如下图所示。已知C=150pF，RL=1kΩ，L=780μH，线圈匝数如图所示。晶体管的rce=10kΩ，Cμ=20pF。回路品质因数Qo=100。求：
电路如下图所示。已知晶体管VT1～VT3特性相同，集电极电流
晶体管平均包络检波电路如下图(a)所示，C为滤波电容，R为检波负载电阻，图(b)所示为晶体管的转移特性，其斜率gc=100mS，已知VBB=0.5V，us(t)=0.2[1+0.5cos(Ωt)]cos(ωct)V。
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2，VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
放大电路如下图所示，已知β0=40，Cb'e=3pF，Cb'e=100pF，rbb'=100Ω，rb'e=1kΩ，试估算出该放大电路的上限频率fH。
四等臂双变电桥放大电路如下图(a)所示。已知R=1kΩ，R1=R(1+x)，R2=R(1-x)，
，R5=R6=10kΩ，E=10V。试求：
在下图所示的晶体管中，已知ICQ=1.3mA，晶体管的β=50，Cπ=7pF，Cμ=3pF。试确定管子的共发射极截止频率fβ和特征频率fT。
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2，VP=-2V。
电路如下图所示，设II≈Io=1.5A，晶体管VT的VEB≈VD，R1=1Ω，R2=2Ω，ID=IB。求解负载电流IL与Io的关系式。
