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在下图(a)所示的硅二极管电路中，已知vi=10sinωt(mV)，电容C对交流呈现的容抗可以忽略不计。写出va的电压表达式。
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半波整流和全波整流电路如下图所示。已知变压器次级输出电压为v1=21sinωt(V)，v2=-2v3=21sinωt(V)，二极管的正向压降和变压器次级线圈内阻可以忽略。
电路如下图所示，电路上、下完全对称，已知：u2=0.2cos(Ωt)·cos(ωct)V，u1=2cos(ωct)V，ωc为高频，Ω为低频，二极管检波效率ηd≈1。试写出uO1、uO2、uO的表达式，说明电路具有什么功能？
在图1．4．5(a)所示的硅二极管电路中，已知vi=10sinωt(mV)，电容C对交流呈现的容抗可以忽略不计。写出va的电压表达式。
在下图所示放大电路中，已知UDD=12V，RG=1MΩ，RS1=100Ω，RS2=2kΩ，各电容足够大，场效应三极管的饱和电流IDSS=5mA，夹断电压Up=-5V，gm=1.85mA/V，试求：
在下图所示的理想运放电路中，已知vi=2sin200πt(V)，运放动态范围为±10V，稳压管正向压降可忽略，试分别画出vo1和vo随时间t变化的波形示意图。
用图解法求图11.3.4所示电路中通过二极管的电流。已知uS=1V，R=1Ω；二极管的伏安特性可表示为i=10-6(e40u-1)，i、u的单位分别为A、V。
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2，VP=-2V。
二极管电路如下图(a)、(b)所示，已知ηd≈1，图(a)输入信号ui=Uim[1+macos(Ωt)]cos(ωct)，图(b)输入信号u1=U1mcos(Ωt)cos(ωct)、u2=U2mcos(ωct)，U1m＜U2m，试写出各电路输出电压的表达式，说明作用及名称。
| 二极管型号 | A | B | C | D |
| 最大整流电流IF/mA | 5 | 30 | 100 | 500 |
| 最高反向工作电压VRM/V | 25 | 50 | 50 | 500 |
理想运放组成如下图所示的电压测量电路。已知输入电压vi=Vimsin6.28×103t(V)，若测得输出电压vo=4V，求输入电压振幅Vim为多少伏？
1、β
