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设在下图所示电路中已知vi为正弦波，RL=16Ω，要求最大输出功率为10W。试在三极管的饱和压降可以忽略不计的条件下求出下列各值：
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倍压整流电路如下图所示，v1、v2为50Hz的正弦波交流电压，试说明该整流电路正常工作的条件？在符合正常工作的条件下求负载RL两端的电压VL。
在下图所示的理想运放电路中，已知vi=2sin200πt(V)，运放动态范围为±10V，稳压管正向压降可忽略，试分别画出vo1和vo随时间t变化的波形示意图。
图4-72所示的是一半波整流电路。已知u=100sinwtV，负载电阻RL=10kΩ，设在理想的情况下，整流元件的正向电阻为零，反向电阻为无限大，试求负载电流i的平均值。
在下图(a)所示的硅二极管电路中，已知vi=10sinωt(mV)，电容C对交流呈现的容抗可以忽略不计。写出va的电压表达式。
理想运放组成如下图所示的电压测量电路。已知输入电压vi=Vimsin6.28×103t(V)，若测得输出电压vo=4V，求输入电压振幅Vim为多少伏？
试分析如下图所示之差动电容传感器C1和C2的测量电路。已知U为高频(106Hz级)对称方波电压源，RL为毫安表或微安表的内阻或前置放大器的输入电阻；D1、D2为二极管，R1、R2为固定电阻。
某放大器测量电路如下图所示，已知RL=3kΩ，输入信号vs=25
电路如下图所示。已知C=150pF，RL=1kΩ，L=780μH，线圈匝数如图所示。晶体管的rce=10kΩ，Cμ=20pF。回路品质因数Qo=100。求：
用MOSFET组成如下图所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0.05mA/V2，VTH=3V。若输入信号VI=100mV时，要求输出电压Vo=60mV，问此时应给FET加多大的栅极电压VG？
