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[主观题]

已知锗PN结的反向饱和电流为10-8A。当外加电压V为0．2 V、0．36 V及0．4 V时，试求室温下流过PN结的电

流I？由计算结果说明伏安特性的特点。

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更多“已知锗PN结的反向饱和电流为10-8A。当外加电压V为0．2…”相关的问题

第1题

已知硅和锗PN结的反向饱和电流分别为10-14A和10-8A。若外加电压为-0．1 V、0 V、0．25 V、0．45 V、0．65

V时，试求室温下各电流I，并指出电压增加0．2 V时，电流增加的倍数。

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第2题

如图所示，设Vmp和Imp分别为pn结太阳能电池最大输出功率时的电压和电流，IL为电池的光生电流，IS为pn结的反向

如图所示，设V_mp和I_mp分别为pn结太阳能电池最大输出功率时的电压和电流，I_L为电池的光生电流，I_S为pn结的反向饱和电流，A为电池的曝光面积，P_in/cm²为单位面积上的光功率，。试证太阳能电池的转换效率η为

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第3题

如图所示为一柱透镜汇聚的光照射在一条状半导体pn结上，已知在室温下n区电阻率为40Ω·cm，p区电阻率为0.1Ω·cm，

反向饱和电流为1μA，电子迁移率为3600cm²/(V·s)，空穴迁移率为1800cm²/(V·s)，n区的电子深度为3×10¹³cm^-3，试回答下列问题：

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第4题

某半导体逻辑器件的内部电路如图所示。已知PN结的正向压降为0.7V，晶体管的正向放大系数βF=100，反向放大系数β

某半导体逻辑器件的内部电路如图所示。已知PN结的正向压降为0.7V，晶体管的正向放大系数β_F=100，反向放大系数β_R≈0，V_CC=5V，其他参数按理想器件考虑。

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第5题

锗材料二极管的PN结导通电压典型值为（)。

A.0.5V

B.0.1V

C.0.3V

D.0.7V

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第6题

设PN结电容Cj与反向电压uR之间的关系为。将它与振荡器的LC回路并联，PN结的偏置电压为U0=4V，载波频率fc=1.2MH

设PN结电容C_j与反向电压u_R之间的关系为。将它与振荡器的LC回路并联，PN结的偏置电压为U₀=4V，载波频率f_c=1.2MHz。(1)计算每单位调制电压所引起的频偏，即系数k_f；(2)若要求实际频率变化规律与理想的线性频率变化规律之间的误差小于1%，试问最大频偏不能超过多少？

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第7题

若PN结两侧的杂质浓度高，则形成的PN结反向漏电流大，反向击穿电压高。()

若PN结两侧的杂质浓度高，则形成的PN结反向漏电流大，反向击穿电压高。（)

A.正确

B.错误

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第8题

二极管加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。()

二极管加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。（)

A.正确

B.错误

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第9题

PN结外加反向电压时，其内电场()。

PN结外加反向电压时，其内电场（)。

A.减弱

B.不变

C.增强

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第10题

当PN结外加反向电压时，扩散电流()漂移电流。

当PN结外加反向电压时，扩散电流（)漂移电流。

A.大于

B.小于

C.等于

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第11题

PN结外加反向电压时，其内电场（)

A.减弱

B.不变

C.增强

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