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下图所示的直流稳压电源中，已知晶体管VT的发射结电压UBE与二极管VD的导通电压UD相等，β=50；三端稳压器W78L05的最大输出电流IOmax=0.1A。
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电路如下图所示，设II≈Io=1.5A，晶体管VT的VEB≈VD，R1=1Ω，R2=2Ω，ID=IB。求解负载电流IL与Io的关系式。
下图所示电路为压控振荡电路，试说明其工作原理并定性画出uO和uO1的波形(其中，uI＞0。晶体管VT工作在开关状态，截止时相当于开关断开，导通时相当于开关闭合，管压降近似为零。)。图中R1=R2=R3=R4，R6=R7。
在下图所示的晶体管中，已知ICQ=1.3mA，晶体管的β=50，Cπ=7pF，Cμ=3pF。试确定管子的共发射极截止频率fβ和特征频率fT。
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2，VP=-2V。
电路如下图所示。已知C=150pF，RL=1kΩ，L=780μH，线圈匝数如图所示。晶体管的rce=10kΩ，Cμ=20pF。回路品质因数Qo=100。求：
电路如下图所示。已知晶体管VT1～VT3特性相同，集电极电流
晶体管平均包络检波电路如下图(a)所示，C为滤波电容，R为检波负载电阻，图(b)所示为晶体管的转移特性，其斜率gc=100mS，已知VBB=0.5V，us(t)=0.2[1+0.5cos(Ωt)]cos(ωct)V。
放大电路如下图(a)所示，已知晶体管的fT=200MHz，Cb'e=5pF，rbb'=50Ω，re=5Ω，β0=50，略去基极偏置电阻RB1、RB2的影响，试求该电路的Aus0、fH和G·BW。
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2，VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
BLR-1/1T拉压力传感器标定的具体过程如下。
①将传感器按下图所示原理安装在标准测力机上，并与直流稳压电源及数字电压表连接成测量电路。
②快速预加载3次，每次加载到额定负荷10000N后退回零负荷。
③按规定调整稳压电源的输出电压为10V，调整数字电压表的量程和零点，读取零负荷时的输出值。
④施加三次预负荷之后，相隔1min后再进行正式标定。
⑤根据传感器的量程分级加载，分级次数一般为5次以上。因为只有依据5次以上的对应点描绘出的实验曲线及拟合直线，才能计算出精度较高的静态性能指标。
⑥确定分级次数后，以相同的增量施加递增负荷，直到额定负荷。在每一级负荷加上后，保持一段时间(一般为30s)，再读取输出值。达到额定值后，按上面规定，施加递减负荷，直到零负荷，同样读取每一级卸载负荷下的输出值。
⑦按上面加载与卸载的规定和要求，重复进行三次。测量数据如下表所示。
| 测量数据 | ||||||||
| 输入/N | 0.000 | 2.000 | 4.000 | 6.000 | 8.000 | 10.000 | ||
| 输出/mV | 第一次 | 加载 | -0.752 | 1.404 | 3.525 | 5.643 | 7.757 | 9.872 |
| 卸载 | -0.755 | 1.402 | 3.523 | 5.643 | 7.758 | 9.872 | ||
| 第二次 | 加载 | -0.755 | 1.415 | 3.528 | 5.654 | 7.769 | 9.880 | |
| 卸载 | -0.757 | 1.411 | 3.535 | 5.643 | 7.766 | 9.880 | ||
| 第三次 | 加载 | -0.757 | 1.415 | 3.537 | 5.655 | 7.768 | 9.880 | |
| 卸载 | -0.758 | 1.414 | 3.536 | 5.654 | 7.767 | 9.880 |
根据表中的数据，计算BLR-1/1T拉压力传感器的零点输出、额定输出、不重复度和灵敏度。
