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下图所示的电路中，已知场效应管gm=2mS，IDSS=1mA，UGS(off)=-5V，UDQ=9V，试：
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N沟道增强型场效应管的电路如下图所示。已知管子的工艺参数k=0.08mA/V2，开启电压VTH=3V，沟道长度调制电压为-100V。试计算IDQ和IDSQ的值，并画出小信号等效电路，求gm和rds的值。
下图所示电路中，设所有晶体管的β均为30，VT3和VT4的rbe=2.5kΩ，场效应管的gm=4mS，其他参数如图中所示，图中所有电位器的滑动端均在中间位置。试：
在图1．4．14(a)所示的电路中，已知场效应管的饱和电流IDSS为2mA，夹断电压VP为一2V，沟道长度调制电压VA=一100V。试画出场效应管的交流小信号等效电路并求电路参数gm和rds.
场效应管自举电路如图2-27(a)所示。已知：UDD=20V，Rg3=51MΩ，Rg1=200kΩ，Rg2=200kΩ，Rs=22kΩ，gm=1mA/V，试计算：
(1) 无自举电容C时，电路的输入电阻Ri；
(2) 有自举电容C时，电路的输入电阻Ri。
在下图所示放大电路中，已知UDD=12V，RG=1MΩ，RS1=100Ω，RS2=2kΩ，各电容足够大，场效应三极管的饱和电流IDSS=5mA，夹断电压Up=-5V，gm=1.85mA/V，试求：
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2，VP=-2V。
图题7.30所示场效应管调频电路中，设振荡器频率f0=70MHz;场效应管跨导gm=1～2mS，线性可变；C的容抗等于R的10倍；若C0=25pF，试求可用的最大频偏。
