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第2题
有一场效应管电抗管电路，对10MHz主振器进行调频，得到±100kHz的频率变化。设场效应管的跨导gm在栅压控制下线
有一场效应管电抗管电路，对10MHz主振器进行调频，得到±100kHz的频率变化。设场效应管的跨导gm在栅压控制下线性变化范围为0～0.628mS，取电阻R为电容C的容抗的1/10。试计算振荡器回路的电感和电容。
第3题
图题7.30所示场效应管调频电路中，设振荡器频率f0=70MHz;场效应管跨导gm=1～2mS，线性可变；C的容抗等于R的10倍
图题7.30所示场效应管调频电路中，设振荡器频率f0=70MHz;场效应管跨导gm=1～2mS，线性可变；C的容抗等于R的10倍；若C0=25pF，试求可用的最大频偏。
第4题
下图所示电路中，设所有晶体管的β均为30，VT3和VT4的rbe=2.5kΩ，场效应管的gm=4mS，其他参数如图中所示，图中所
下图所示电路中，设所有晶体管的β均为30，VT3和VT4的rbe=2.5kΩ，场效应管的gm=4mS，其他参数如图中所示，图中所有电位器的滑动端均在中间位置。试：
第5题
用增强硅靶摄像管摄取图像信息，其光电流灵敏度为2×105μA/lm，负载电阻RL=100kΩ；用场效应管作前置放大器，其跨
用增强硅靶摄像管摄取图像信息，其光电流灵敏度为2×105μA/lm，负载电阻RL=100kΩ；用场效应管作前置放大器，其跨导为1.75mA/V，总分布电容C=23pF。若工作在室温300K下入射光通量的平均值为1.5×10-6lm，设上限频率为10MHz，求信噪比S/N为多少dB？
第10题
计算下图（a)、（b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点（VCEQ，ICQ)和FET的工作点（VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2，VP=-2V。
的值。
