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在下图(a)所示的电路中，已知场效应管的饱和电流IDSS为2mA，夹断电压VP为-2V，沟道长度调制电压VA=-100V。试画出场效应管的交流小信号等效电路并求电路参数gm和rds。
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下图所示的电路中，已知场效应管gm=2mS，IDSS=1mA，UGS(off)=-5V，UDQ=9V，试：
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2，VP=-2V。
电路如下图a所示，已知VDD=15V，RG=1MΩ，RS=RL=2kΩ，场效应管IDSS=4mA，UGS(off)=-4V
场效应管和晶体管构成的两级放大电路如下图所示。已知V1的gm=0.6mA/V，VT2的rbb'=100Ω，UBE=0.7V，β=50，又知RG=1MΩ，RG1=RG2=200kΩ，RD=10kΩ，RS=10kΩ，RE=20kΩ，RB=200kΩ，RL=2kΩ，VCC=+15V。
N沟道增强型场效应管的电路如下图所示。已知管子的工艺参数k=0.08mA/V2，开启电压VTH=3V，沟道长度调制电压为-100V。试计算IDQ和IDSQ的值，并画出小信号等效电路，求gm和rds的值。
在图所示的场效应管放大电路中，已知耗尽型绝缘栅场效应管3D01E的UGS(off)=-2.5V，IDSS=0.5mA，电路元件参数如图所注。试求其静态工作点的ID、UDS和UGS值。
欲设计一个带放大器的照度计，其原理电路如下图所示。若已知光电池2CR21的电流灵敏度为SI=7nA/1x·mm2，光敏面积为A=25mm2，而放大器选用输入阻抗高的由场效应管为前级的运算放大器组成，现拟用量程为10V的电压表作照度指示，试计算照度分级为1000lx和100lx二挡下的反馈电阻R1与R2的值？
欲设计一个带放大器的照度计，其原理电路如下图所示，只是在R2后再同样串接一个R3。已知光电池2CR21的电流灵敏度为SI=7nA/lx·mm2，光敏面积为A=25mm2，而放大器选用输入阻抗高的由场效应管为前级的运算放大器组成。现拟用量程为10V的电压表作照度指示，试计算照度分级为1000lx、100lx、10lx三挡下的反馈电阻R1，R2，R3的取值？
下图所示电路中，设所有晶体管的β均为30，VT3和VT4的rbe=2.5kΩ，场效应管的gm=4mS，其他参数如图中所示，图中所有电位器的滑动端均在中间位置。试：
在图1．4．14(a)所示的电路中，已知场效应管的饱和电流IDSS为2mA，夹断电压VP为一2V，沟道长度调制电压VA=一100V。试画出场效应管的交流小信号等效电路并求电路参数gm和rds.
场效应管分压电路和所用管子的漏极特性曲线如下图所示。假设Ui在0～2V范围内变化时，要求分压比Uo/Ui=0.4，问VGG应选多大？
