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恒流源差放如下图所示，已知晶体管的β均为60，VBE=0.7V，Ro=4MΩ。试计算静态工作点电流ICQ、差模电压增益Avd和共模抑制比CMRR的值。
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计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2，VP=-2V。
电路如下图所示。已知C=150pF，RL=1kΩ，L=780μH，线圈匝数如图所示。晶体管的rce=10kΩ，Cμ=20pF。回路品质因数Qo=100。求：
电路如下图所示。已知晶体管VT1～VT3特性相同，集电极电流
晶体管平均包络检波电路如下图(a)所示，C为滤波电容，R为检波负载电阻，图(b)所示为晶体管的转移特性，其斜率gc=100mS，已知VBB=0.5V，us(t)=0.2[1+0.5cos(Ωt)]cos(ωct)V。
放大电路如下图(a)所示，已知晶体管的fT=200MHz，Cb'e=5pF，rbb'=50Ω，re=5Ω，β0=50，略去基极偏置电阻RB1、RB2的影响，试求该电路的Aus0、fH和G·BW。
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2，VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
理想运放组成如下图所示的电压测量电路。已知输入电压vi=Vimsin6.28×103t(V)，若测得输出电压vo=4V，求输入电压振幅Vim为多少伏？
下图所示电路中，设所有晶体管的β均为30，VT3和VT4的rbe=2.5kΩ，场效应管的gm=4mS，其他参数如图中所示，图中所有电位器的滑动端均在中间位置。试：
在下图所示的晶体管中，已知ICQ=1.3mA，晶体管的β=50，Cπ=7pF，Cμ=3pF。试确定管子的共发射极截止频率fβ和特征频率fT。
下图所示的直流稳压电源中，已知晶体管VT的发射结电压UBE与二极管VD的导通电压UD相等，β=50；三端稳压器W78L05的最大输出电流IOmax=0.1A。
